涉嫌對華洩露晶片技術前三星高管二審獲刑6年

韓聯社首爾7月23日電 南韓前三星電子高管金某因涉嫌向中國企業洩露半導體核心技術，二審被法院判處有期徒刑6年、罰金2億韓元（約合人民幣103.7萬元）。

南韓首爾高等法院刑事審判第8庭23日作出上述判決，並表示，被告人金某主導實施嚴重的犯罪行為，給受害企業造成重大損失，給國家發展造成負面影響。但法院指出，考慮到金某無前科，且未直接參與核心技術洩露等，故較一審判決減輕刑量。

檢方認為，金某2016年從三星電子跳槽到中國企業長鑫存儲（CXMT）後，向其洩露三星電子18奈米沉積工藝等7項關鍵技術資料，以供長鑫存儲進行產品開發，並獲得數百億韓元的財物。金某還涉嫌從三星電子和其合作企業挖走20多名技術人才，要求對方為此支付至少稅後5億韓元。

針對與金某一同將三星電子承包公司的設計技術機密洩露至長鑫存儲的方某，法院維持一審判決，判處其有期徒刑2年6個月。（完）

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