SK海力士涉對華洩露晶片技術高管二審加刑
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2024年 10月 18日 17:11
韓聯社首爾10月18日電 涉嫌向中國洩露SK海力士晶片核心技術、竊取三星電子子公司設備圖紙的SK海力士合作企業副社長A某二審仍獲刑，且刑量加重。
首爾高等法院刑事7部18日就該案作出二審裁決，認定A某違反《產業技術法》和《防止不正當競爭及商業秘密保護法》，並判處其有期徒刑1年零6個月，刑量較一審增加6個月。一審被判緩刑的研究所所長等其他3名職員二審被判處有期徒刑1年到1年零6個月不等刑期。合作企業的法人被處罰金10億韓元（約合人民幣519萬元），較一審多6億韓元。
一審法院認為，涉案專利技術為SK海力士與其合作企業共同所有，僅被禁止對外公佈。但二審法院經則認為，向SK海力士競爭企業等第三方提供該技術前，至少應事先徵得SK海力士方面的同意，並認定涉案技術是屬於保密範圍內的產業技術機密，洩露該技術構成犯罪。
二審法院還指出，被告人不僅對企業經營造成損失，更極大影響了國家產業發展。尤其是，A某作為最終決策人，指揮並深度參與犯罪。
A某等人涉嫌從2018年起把其與SK海力士合作過程中所掌握的HKMG半導體製造技術和清潔配方等半導體相關核心技術、商業秘密洩露給中國半導體競爭企業。他們還涉嫌利用三星電子和子公司Semes前任職員盜取的超臨界流體清洗設備圖紙等半導體尖端技術和商業秘密，研發出用於對華出口的設備。（完）
lizhengyun@yna.co.kr
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