前三星研究員因向中方洩露晶片技術被起訴

韓聯社首爾5月2日電 一名前三星電子研究員涉嫌向中方洩露晶片核心技術，南韓檢方對其進行逮捕起訴。

首爾中央地方檢察廳情報技術犯罪偵查部2日表示，以違反《產業技術保護法》（向國外洩露國家核心技術）等罪名對曾經從三星跳槽至中國長鑫存儲技術有限公司（CXMT）的研究員全某（55歲）予以逮捕起訴。

根據檢方指控，全某非法獲取並使用了三星電子斥資約1.6萬億韓元（約合人民幣82億元）研發的動態隨機存取記憶體（DRAM）核心工藝技術。調查顯示，全某與前三星電子部門主管金某一同跳槽至長鑫後，為長鑫牽頭制定了非法轉移三星核心技術、挖角關鍵技術人才的DRAM晶片研發計劃。

全某在六年間從長鑫獲得了總計約29億韓元的薪酬，其中包括3億韓元簽約獎金和3億韓元股票期權。（完）

yuan@yna.co.kr

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