涉對華洩露晶片技術三星前高管和首席研究員被批捕

韓聯社首爾9月6日電 據首爾警察廳產業技術安全偵查隊6日消息，涉嫌對華洩露晶片核心技術的三星電子前高管和首席研究員被批捕。

曾擔任三星電子和海力士半導體（現SK海力士）高管的崔某（66歲）和前三星電子首席研究員吳某（60歲）涉嫌違反《產業技術法》和《防止不正當競爭及商業秘密保護法》，洩露三星電子自主開發的700多個20奈米技術工藝流程圖用於成都高真科技公司進行產品研發。

據悉，成都高真科技係崔某2021年獲投資後設立，吳某出任該公司高管。

警方於今年1月申請提捕吳某，但被駁回。之後，警方補充偵查並再次提請批捕，並一同提捕崔某。首爾中央地方法院日前批准逮捕。警方計劃具體調查泄密過程、以及是否獲取經濟利益等。（完）

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