Go to Contents Go to Navigation

SK海力士成功研發全球首款238層快閃記憶體晶片

滾動 2022年 08月 03日 10:04

韓聯社首爾8月3日電 南韓半導體製造商SK海力士3日表示,公司成功研發出全球首款業界最高層數的238層512Gb TLC(Triple Level Cell)4D快閃記憶體晶片(NAND)樣品,該晶片將於明年上半年實現量產。

SK海力士當天在美國加州舉行的2022全球快閃記憶體峰會上公開該產品。公司表示,這是公司自2020年12月研發出176層NAND後時隔1年零7個月成功研發下一代新技術。尤其是新產品既擁有業界最高層數,也是目前最小的NAND產品,其意義重大。

與176層NAND相比,新產品的生產效率提升34%,數據傳輸速度(每秒2.4Gb)提升50%,功耗減少21%。

SK海力士計劃先為客戶端固態硬碟(SSD)供應238層NAND,之後逐步將產品使用範圍擴大至智慧手機和大容量伺服器固態硬碟,並於明年推出該產品的1Tb擴容版。(完)

SK海力士研製的238層512Gb TLC(Triple Level Cell)4D快閃記憶體晶片 SK海力士供圖(圖片嚴禁轉載複製)

kchy515@yna.co.kr

【版權歸韓聯社所有,未經授權嚴禁轉載複製】

主要 回到頂部