SK海力士成功研發全球首款238層快閃記憶體晶片

韓聯社首爾8月3日電 南韓半導體製造商SK海力士3日表示，公司成功研發出全球首款業界最高層數的238層512Gb TLC（Triple Level Cell）4D快閃記憶體晶片（NAND）樣品，該晶片將於明年上半年實現量產。

SK海力士當天在美國加州舉行的2022全球快閃記憶體峰會上公開該產品。公司表示，這是公司自2020年12月研發出176層NAND後時隔1年零7個月成功研發下一代新技術。尤其是新產品既擁有業界最高層數，也是目前最小的NAND產品，其意義重大。

與176層NAND相比，新產品的生產效率提升34%，數據傳輸速度（每秒2.4Gb）提升50%，功耗減少21%。

SK海力士計劃先為客戶端固態硬碟（SSD）供應238層NAND，之後逐步將產品使用範圍擴大至智慧手機和大容量伺服器固態硬碟，並於明年推出該產品的1Tb擴容版。（完）

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