韓聯社首爾7月25日電 三星電子25日在京畿道華城廠區內的極紫外光刻（EUV）專用V1生產線舉行了適用新一代全環繞柵極（Gate AllAroundT，簡稱GAA）技術的3奈米晶片產品出廠紀念活動。
產業通商資源部長官李昌洋、三星電子DS本部長慶桂顯以及員工和合作商有關人士共100多人出席活動。三星電子上月底宣佈全球首款基於GAA技術的3奈米工藝半導體產品投入量產。3奈米工藝是半導體製作工程中最為尖端的製程技術，三星電子趕超臺積電和英特爾等競爭商，率先推出該技術。與此前使用鰭式場效應電晶體（FinFET）的晶片相比，新產品採用晶片面積更小、電耗減少、性能提升的GAA技術，在技術層面意義重大。
三星電子自2000年代初期啟動GAA技術研究，2017年將其用於3奈米製程，近期投入量產。三星電子晶圓代工事業部當天表示，將以創新技術邁向全球最高頂點。李昌洋在致辭中感謝三星電子幹部員工和為技術研發付出努力的半導體行業人員，並強調需凝聚行業力量力保3奈米工程的高良品率。他還承諾，以日前政府公佈的半導體強國發展戰略為基礎，政府將在構建半導體生態系統方面提供全方位支援。
三星電子將首次把3奈米GAA工藝用於高性能電腦群（HPC），並計劃與主要合作商攜手將其擴至移動系統級晶片（SoC）等多種產品群。三星電子計劃繼華城廠區之後，在平澤廠區也投入量產GAA3奈米晶片。（完）
資料圖片：圖為三星電子高管展示3奈米晶片，攝于7月9日。 三星電子供圖（圖片嚴禁轉載複製）
三星電子華城廠區 韓聯社/三星電子供圖（圖片嚴禁轉載複製）
資料圖片：7月21日，在京畿道華城的東進世美肯，產業通商資源部長官李昌洋視察生產設施。 韓聯社
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