韓聯社首爾6月30日電 三星電子30日宣佈，旗下華城工廠已利用3奈米（nm）全環繞柵極（GAA）製程工藝節點開始量產首批晶片，成為全球首家量產3奈米晶片的半導體晶圓代工廠。
據介紹，與前幾代使用鰭式場效應電晶體（FinFET）的晶片不同，第一代3奈米工藝採用GAA電晶體技術，大幅提升了效能。與三星5奈米工藝相比，第一代3奈米工藝可使功耗降低45%，性能提升23%，晶片面積減少16%。三星表示，將於明年投入的第二代3奈米工藝能使功耗降低50%，性能提升30%，晶片面積減少35%。
三星電子計劃將3奈米製程工藝優先應用於高性能計算（HPC）晶片，再擴大至移動系統晶片（SoC）等。此外，三星電子還計劃從2025年開始生產基於GAA的2奈米晶片，力爭在先進晶片製造領域趕超臺積電（TSMC）。
據台灣調研機構集邦諮詢（TrendForce）提供的數據，以今年第一季度為準，臺積電的全球市場份額以53.6%位居第一，三星電子以16.3%位居第二。據悉，臺積電計劃下半年起量產3奈米晶片，再將GAA技術應用於其2奈米工藝。（完）
三星電子宣佈開始量產3奈米晶片。圖為三星電子工作人員合影留念。 韓聯社/三星電子供圖（圖片嚴禁轉載複製）
資料圖片：三星電子華城廠區 韓聯社/三星電子供圖（圖片嚴禁轉載複製）
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