韓聯社首爾3月18日電 三星電子18日與美國超威半導體公司（AMD）在三星平澤工廠簽署一份旨在擴大在下一代人工智慧（AI）記憶體晶片及計算技術領域合作的諒解備忘錄（MOU）。根據協議，三星被指定為超威半導體AI加速器所搭載的第六代高頻寬記憶體（HBM4）的優先供應商。
3月18日，在三星平澤工廠，三星電子設備解決方案（DS）部門負責人全永鉉（左）與超威半導體董事會主席兼首席執行官蘇姿豐出席簽約儀式。 韓聯社/三星電子供圖（圖片嚴禁轉載複製）
三星電子設備解決方案（DS）部門負責人全永鉉與超威半導體董事會主席兼首席執行官蘇姿豐共同出席簽約儀式。根據協議，三星電子的HBM4將應用於超威半導體的最新一代AI晶片“Instinct MI455X”圖像處理單元（GPU）上。
3月18日，在三星平澤工廠，超威半導體董事會主席兼首席執行官蘇姿豐參觀三星設備。 韓聯社/三星電子供圖（圖片嚴禁轉載複製）
繼今年2月在業界率先實現HBM4的量產後，三星電子確認將為超威半導體提供該款產品，預計這將進一步提升三星電子在高頻寬記憶體市場的佔有率。三星的HBM4採用業界首個第六代10奈米級DRAM技術（1c工藝），並結合4奈米邏輯工藝打造基底裸片（Base Die），其最高性能可達13吉比特每秒（Gbps），單堆棧記憶體頻寬最高可達每秒3.3太字節（TB/s）。
此外，雙方還計劃在高性能DDR5記憶體解決方案方面展開技術合作，推動超威半導體AI機架級基礎設施平臺“Helios”以及下一代數據中心伺服器GPU性能的最大化。同時，雙方還探討三星電子為AMD下一代晶片提供代工製造服務。
三星電子與超威半導體在多個半導體技術領域保持著近20年的合作關係。自2007年三星電子專為GPU設計的GDDR顯存首次搭載于超威半導體的顯示卡上開始，雙方的合作逐步擴展至圖像記憶體、移動處理器、數據中心記憶體等領域。特別是在HBM領域，三星電子作為超威半導體的核心供應商，始終保持著長期穩定的合作關係。去年，三星電子將12層HBM3E記憶體搭載于超威半導體最新的AI加速器“MI350X”和“MI355X”上。（完）
三星HBM4 三星電子供圖（圖片嚴禁轉載複製）
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