韓聯社首爾1月31日電 三星電子31日舉行業績電話會議稱，公司將從今年第一季度底起向主要客戶供應第五代高頻寬記憶體“HBM3E”的改良品，並爭取下半年內量產第六代高寬頻記憶體“HBM4”。
資料圖片：三星電子研發的12層HBM3E晶片 韓聯社
預計改良版HBM3E的供應量將從第二季度起全面增加。三星電子稱，公司去年10月發佈改良版HBM3E供應計劃，此後美國政府發佈尖端半導體出口管制政策，推動客戶需求逐步轉移至改良版HBM3E。雖然這恐將導致HBM總需求暫緩，但對12層HBM3E的需求將從第二季度起迅速增加，其增速有望高於預期。由此，三星電子計劃將今年全年HBM bit供應量擴至去年的兩倍。
對於中國企業研發的人工智慧應用DeepSeek（深度求索），三星電子錶示，由於公司向諸多客戶供應用於圖像處理器的HBM產品，因此正考慮各種可能性的同時，密切關注行業動向。（完）
資料圖片：三星電子12層HBM3E晶片概念圖 韓聯社/三星電子供圖（圖片嚴禁轉載複製）
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