韓聯社首爾9月6日電 據首爾警察廳產業技術安全偵查隊6日消息,涉嫌對華洩露晶片核心技術的三星電子前高管和首席研究員被批捕。
曾擔任三星電子和海力士半導體(現SK海力士)高管的崔某(66歲)和前三星電子首席研究員吳某(60歲)涉嫌違反《產業技術法》和《防止不正當競爭及商業秘密保護法》,洩露三星電子自主開發的700多個20奈米技術工藝流程圖用於成都高真科技公司進行產品研發。
據悉,成都高真科技係崔某2021年獲投資後設立,吳某出任該公司高管。
警方於今年1月申請提捕吳某,但被駁回。之後,警方補充偵查並再次提請批捕,並一同提捕崔某。首爾中央地方法院日前批准逮捕。警方計劃具體調查泄密過程、以及是否獲取經濟利益等。(完)
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