韓聯社首爾8月6日電 南韓電池巨頭SK海力士在美國印第安納州的先進晶片封裝廠建設項目將享受美國商務部發放的直接補貼，最高金額可達6200億韓元（約合人民幣32億元）。
據美國商務部6日消息，SK海力士和美國商務部簽署了一份不具約束力的初步備忘錄（PMT），其主要內容為美方將為SK海力士發放最高4.5億美元的聯邦政府補貼，用於在印第安納州興建高頻寬記憶體（HBM）封裝工廠及研發設施。美方還將向SK海力士提供5億美元貸款，以及最多可達其在美資本支出25%的投資稅收抵免。
補貼具體金額今後將根據美國《晶片和科學法案》的資助機會通知（NOFO）敲定。SK海力士的補貼資金比例為11.6%，雖低於三星電子（14.2%），但高於臺積電（10.2%）和英特爾（8.5%）。
SK海力士4月曾宣佈，將投資38.7億美元在印第安納州西拉斐特修建下一代高頻寬記憶體生產基地，並計劃于2028年下半年開始量產。（完）
資料圖片：SK海力士京畿道利川總部 韓聯社
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