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三星電子公佈引領AI時代半導體技術路線圖

2024年 06月 13日 15:03

韓聯社聖何塞6月12日電 三星電子2027年將引入尖端晶圓代工技術,推出兩種新工藝節點,加強跨越人工智慧(AI)晶片研發、代工生產、組裝全流程的AI晶片生產“一站式”服務。

三星電子12日在美國矽谷舉行“2024年三星代工論壇”,公佈了涵蓋上述內容的半導體技術戰略。三星電子正通過封裝晶圓代工非記憶體半導體和高頻寬記憶體(HBM)的整合AI解決方案致力於研製高性能、低能耗的AI晶片產品。據此,與現有工藝相比,從研發到生產的耗時可縮減約20%。

值得關注的是,三星電子計劃引進尖端晶圓代工技術進一步強化AI晶片生產水準。具體來看,三星2027年將在2奈米工藝中採用背面供電網路(BSPDN)技術(製程節點SF2Z)。該技術可將晶片的供電網路轉移至晶圓背面,與信號電路分離,從而簡化供電路徑,降低供電電路對互聯信號電路的干擾。若在2奈米工藝中採用該技術,不僅能提高功率、性能和面積等參數,還可以顯著減少電壓降,從而提升高性能計算設計性能。目前尚無實現商業化的先例。

另外,三星電子2027年還計劃把低能耗且具有高速數據處理性能的光學元件技術運用於AI解決方案。2025年,三星電子將在4奈米工藝中採用“光學收縮”技術(製程節點SF4U)進行量產,使晶片更小,性能更佳。

三星電子方面表示,AI時代最重要的就是高性能、低能耗晶片,將通過和AI晶片適配度最高的環繞式柵極工藝(GAA)、光學元件等技術為客戶提供AI時代必要的“一站式”解決方案。(完)

當地時間6月12日,在美國矽谷,三星電子晶圓代工事業部社長崔時榮在三星代工論壇上發表主旨演講。 三星電子供圖(圖片嚴禁轉載複製)

yuan@yna.co.kr

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