三星電子在美發佈晶圓代工新技術路線圖

韓聯社首爾、聖何塞6月28日電三星電子當地時間27日在美國加州矽谷舉辦“2023三星晶圓代工論壇”，發佈瞄準人工智慧時代的最尖端晶圓代工流程路線圖，並宣佈將以最高新的半導體技術引領人工智慧時代。

當地時間6月27日，在美國矽谷，三星電子晶圓代工業務部門社長崔時榮在“2023三星晶圓代工論壇”上發表主旨演講。韓聯社

三星電子晶圓代工業務部門社長崔時榮在發表主旨演講時表示，客戶公司正在積極開發人工智慧專用晶片，三星電子將通過最優化於人工智慧晶片的全環繞柵極（Gate All Around，簡稱GAA）電晶體技術創新，引領人工智慧技術模式的變化。

GAA技術是新一代半導體的核心製程技術，能夠提升數據處理速度、電力效率和電晶體性能。三星電子去年6月全球率先實現基於GAA技術的3奈米工藝半導體產品量產。三星此前已公佈將於2025年起量產基於GAA技術的2奈米工藝半導體，當天則提出了具體時間表，即自2025年起以移動終端為中心，到2026年將2奈米工藝適用於高性能電腦集群（HPC），並於2027年將其用途擴至車用晶片。

與此同時，三星還決定從2025年起提供人工智慧技術所需的高性能低電耗氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓代工服務。為此公司將同相關企業構建先進封裝協商機制“MDI（Multi Die Integration）同盟”，領導新一代封裝市場。

三星電子介紹，將通過這些措施，公司力爭在2027年將半導體生產能力提升至2021年的7.3倍。當天，晶圓代工項目部門的主要客戶和夥伴共700多人參加活動，38傢夥伴公司在現場設展臺，共用了最新晶圓代工技術動向。（完）