韓聯社水原6月12日電 涉嫌盜取機密企圖在華設立山寨版三星電子半導體工廠的前三星電子高管A某被逮捕起訴。
南韓水原地方檢察廳12日表示，以違反《產業技術保護法》和《不正當競爭防止法》的罪名將A某逮捕起訴，並以涉嫌違反《不正當競爭防止法》等針對A某在華設立的公司所屬5名職員和涉嫌洩露設計圖的三星電子合作公司1名職員共6人進行不捕直訴。
資料圖片：三星電子西安半導體工廠 韓聯社/三星電子供圖（圖片嚴禁轉載複製）
A某涉嫌從2018年8月至2019年以不當手法獲取並使用三星電子半導體工廠基本工程數據（Basic Engineering Data）、工藝流程圖、設計圖等資訊。涉案技術為用於製造30奈米以下動態隨機存取記憶體（DRAM）和快閃記憶體晶片（NAND）的製程工藝，屬於國家關鍵技術。
經查發現，A某企圖在距離三星電子西安半導體工廠僅1.5公里處興建山寨版三星晶片廠。由於台灣一家電子產品製造商曾承諾的8萬億韓元（約合人民幣443億元）投資落空，工廠建設項目沒能實際進行。但據悉，A某曾在成都獲得4600億韓元投資建設半導體製造工廠，其中研發樓已于去年完工，並採用三星電子半導體技術生產出了樣品。
A某曾任三星電子常務、SK海力士副社長等職務，是南韓半導體製造領域具有權威地位的人物。他在華設廠後錄用200名三星電子、SK海力士的員工，並指示他們獲取並利用三星電子半導體設計資料。檢方推算，A某洩露技術給三星電子至少造成3000億韓元損失。（完）
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