韓聯社首爾5月9日電 南韓科學技術資訊通信部(科技部)9日發佈半導體未來技術路線圖,提出未來10年確保在半導體記憶體和晶圓代工方面實現超級差距,在系統半導體領域拉開新差距的目標,並啟動半導體未來技術民官協商機制。
這份路線圖涉及45項核心技術,以開發新型記憶體和新一代元器件,人工智慧、第六代行動通訊技術(6G)、電力、車載半導體設計核心技術,以及超微化和尖端封裝工藝核心技術為目標,爭取在10年內掌握有關技術。
新元器件方面,將重點培養強電介質器件、磁性器件、憶阻器三大新興技術,進而開發下一代記憶體器件。設計方面,將優先支援人工智慧和6G等新一代半導體設計技術,政府將從2025年以後集中扶持車載半導體技術,實現未來出行目標。工藝方面,為提升晶圓代工的競爭力,決定開發原子層沉積、異質整合、三維(3D)封裝等技術。
另外,科技部當天還舉行政府、三星電子和SK海力士等產業界、學界、研究界代表單位參與的協商機制簽約儀式。該機制將促進各界的溝通和交流,並在政府半導體科學研究與試驗發展(R&D)政策和項目中反映民間需求和意見,以民間需求為基礎規劃項目,同時負責成果交流、發展技術路線圖等工作。
科技部長官李宗昊表示,將通過上述協商機制打造產業界、學界、研究界主要單位持續常態化合作的研發生態系統,根據路線圖戰略性地推動半導體技術政策及項目的科學研究與試驗發展。他還表示,政府將儘快推動螢幕、新型電池領域成立協商機制,為國家提升三大主力技術力量提供支援。(完)
資料圖片:三星電子高管展示3奈米晶片。 三星電子供圖(圖片嚴禁轉載複製)
yuan@yna.co.kr
【版權歸韓聯社所有,未經授權嚴禁轉載複製】
關鍵詞