韓聯社首爾8月9日電 三星電子當地時間8日參加美國加州聖克拉拉會展中心舉行的“2017快閃記憶體峰會（FMS，Flash Memory Summit 2017）”，並在展會上首次公開了容量高達1TB的V-NAND。
V-NAND是利用立體（3D）堆疊技術封裝更多cell單元的垂直快閃記憶體，較512GB提高1倍，採用16層堆疊可以生產出容量達2TB的快閃記憶體，大幅提升儲存容量。一部2小時的HD高畫質電影通常為1.5-2GB，也就意味著1TB的快閃記憶體能存下約60-70部電影。三星電子本次發佈的1TBV-NAND將很快運用於SSD（固態硬碟）上，計劃明年推出最大容量的SSD產品。
三星電子1TBV-NAND（韓聯社）
同時三星電子在峰會上還提出了新的SSD標準，即“NGSFF（Next Generation Small Form Factor）”，預計於今年第四季度開始量產NGSFF SSD，這將最大限度地提高伺服器存儲數據容量。三星方面表示，現有伺服器如全部替換使用NGSFF級別的SSD，存儲容量將提高4倍，幫助數據中心和伺服器客戶建立高效系統。
三星電子還在峰會上發佈了Z-SSD和Key Value SSD，Z-SSD能將讀寫速度提高7-12倍，可應用於實時大數據分析和高性能伺服器暫存，Key Value SSD可讓多種數據無需轉換便可直接存儲。
SSD硬碟是一種取代HHD硬碟的存儲設備，利用NAND快閃記憶體或是D-Ram等超高速半導體記憶體，不僅能夠提速，還能減少機械卡頓、發熱和噪音。
三星記憶體部門高層表示，2013年三星電子在全球率先實現V-NAND
（第一代，24層）量產，今年已實現第四代V-NAND的量產引領創新，未來三星電子將積極應對人工智慧（AI）、大數據等未來高新半導體的需求。（完）
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