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三星電子30日宣佈,旗下華城工廠已利用3奈米(nm)全環繞柵極(GAA)製程工藝節點開始量產首批晶片,成為全球首家量產3奈米晶片的半導體晶圓代工廠。

據介紹,與前幾代使用鰭式場效應電晶體(FinFET)的晶片不同,第一代3奈米工藝採用GAA電晶體技術,大幅提升了效能。與三星5奈米工藝相比,第一代3奈米工藝可使功耗降低45%,性能提升23%,晶片面積減少16%。三星表示,將於明年投入的第二代3奈米工藝能使功耗降低50%,性能提升30%,晶片面積減少35%。

三星電子計劃將3奈米製程工藝優先應用於高性能計算(HPC)晶片,再擴大至移動系統晶片(SoC)等。此外,三星電子還計劃從2025年開始生產基於GAA的2奈米晶片,力爭在先進晶片製造領域趕超臺積電(TSMC)。

據台灣調研機構集邦諮詢(TrendForce)提供的數據,以今年第一季度為準,臺積電的全球市場份額以53.6%位居第一,三星電子以16.3%位居第二。據悉,臺積電計劃下半年起量產3奈米晶片,再將GAA技術應用於其2奈米工藝。(完)

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