涉嫌對華洩露半導體技術前三星電子員工被捕送檢
社會
2024年 12月 03日 16:50
韓聯社首爾12月3日電 一名涉嫌挖走大批三星電子半導體核心技術人才並向中國成都高真科技有限公司（CHJS，下稱“成都高真”）洩露三星自研20奈米DRAM工藝技術的掮客被逮捕送檢。
首爾警察廳產業技術安全偵查隊3日表示，因涉嫌違反《職業安定法》而將前三星電子工程師A某逮捕，並將其移送至首爾中央地方檢察廳。A某曾以顧問身份參與成都高真的成立工作，其間在國內開設獵頭公司，並以至少2∼3倍的報酬挖走三星電子核心技術人才。這些人員基於半導體專業技術在華打造DRAM製造廠，工廠建成後於2022年4月成功生產半導體晶圓。該廠從竣工到投產僅耗時1年零3個月，而試點晶圓生產通常需要4到5年。
警方表示，被泄技術的經濟價值達4.3萬億韓元（約合人民幣223.6億元），考慮到該技術帶來的經濟效益，實際損失規模更大。除A某外，還有2名利用相同手法挖走國內半導體專業人才的獵頭公司代表以及1家法人也被送檢。據悉，這些獵頭公司為成都高真挖來的技術人員超過30人。
儘管國家關鍵技術被洩露，但警方此次僅適用《職業安定法》而非《產業技術保護法》，處罰力度較輕。警方表示，根據現行法律，以“挖掘人才”方式洩露技術的行為不屬於《產業技術保護法》規定的處罰對象，因此有必要修改相關法律，對產業間諜行為予以嚴懲。
包括A某在內，共有21人被送檢，成都高真技術洩露案由此結案。成都高真代表、前三星電子常務崔某等人涉嫌《產業技術保護法》《防止不正當競爭及商業秘密保護法》，已于9月被捕送檢。（完）
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