三星採用第八代V-NAND車載固態硬碟研製成功

韓聯社首爾9月24日電 三星電子24日表示，公司在業內率先研製出採用第8代3D垂直快閃記憶體（V-NAND）的PCIe 4.0車載固態硬碟（SSD）“AM9C1”。

該產品搭載了基於先進5奈米工藝的主控晶片，支援單層單元（SLC）暫存模式。三星電子已向合作公司提供了業內最高速度的256吉字節（GB）樣本。256GB的順序讀寫速度分別為每秒4400兆字節（MB）和每秒400MB。轉入SLC模式，順序讀寫速度將分別提升至每秒4700MB和每秒1400MB。功耗比上一代約提升50%，是最適合車內使用人工智慧（AI）功能的狀態。工作運作溫度範圍為零下40度至零上150度。

AM9C1提供128GB、256GB、512GB、1太拉字節（TB）、2TB多種存儲容量選擇。以第8代V-NAND為準，2TB是業內現存最大容量，預計明年年初投入量產。三星計劃今年量產256GB產品。（完）

inkyoung@yna.co.kr

【版權歸韓聯社所有，未經授權嚴禁轉載複製和用於人工智慧開發及利用】