三星電子改組新設HBM晶片研發團隊

韓聯社首爾7月4日電 在全球人工智慧市場的規模持續擴張的背景下，三星電子進行大規模改組，組建一個專注于高頻寬記憶體（HBM）的研發團隊，力爭在半導體市場確保“超級差距”。

據業界4日消息，三星電子負責半導體業務的設備解決方案（DS）部門當天進行改組，新設HBM研發組。三星電子副社長、高性能DRAM（動態隨機存取記憶體）設計專家孫永洙（音譯）擔任該研發組組長，帶領團隊集中研發HBM3、HBM3E和新一代HBM4技術。

此外，三星電子還對先進封裝（AVP）團隊和設備技術實驗所進行重組，以提升整體技術競爭力。

值得一提的是，此次改組距離半導體部門換帥僅一個月有餘。三星電子5月21日宣佈了一項重大人事變動，任命未來事業計劃團部長（副會長）全永鉉為DS部門負責人。近期，三星電子還面向HBM等新一代DRAM記憶體控制器開發、驗證等800多個職務招聘有經驗的員工。（完）

lizhengyun@yna.co.kr

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