三星電子公佈引領AI時代半導體技術路線圖

經濟 2024年 06月 13日 15:03

韓聯社聖何塞6月12日電三星電子2027年將引入尖端晶圓代工技術，推出兩種新工藝節點，加強跨越人工智慧（AI）晶片研發、代工生產、組裝全流程的AI晶片生產“一站式”服務。

三星電子12日在美國矽谷舉行“2024年三星代工論壇”，公佈了涵蓋上述內容的半導體技術戰略。三星電子正通過封裝晶圓代工非記憶體半導體和高頻寬記憶體（HBM）的整合AI解決方案致力於研製高性能、低能耗的AI晶片產品。據此，與現有工藝相比，從研發到生產的耗時可縮減約20%。

值得關注的是，三星電子計劃引進尖端晶圓代工技術進一步強化AI晶片生產水準。具體來看，三星2027年將在2奈米工藝中採用背面供電網路（BSPDN）技術（製程節點SF2Z）。該技術可將晶片的供電網路轉移至晶圓背面，與信號電路分離，從而簡化供電路徑，降低供電電路對互聯信號電路的干擾。若在2奈米工藝中採用該技術，不僅能提高功率、性能和面積等參數，還可以顯著減少電壓降，從而提升高性能計算設計性能。目前尚無實現商業化的先例。

另外，三星電子2027年還計劃把低能耗且具有高速數據處理性能的光學元件技術運用於AI解決方案。2025年，三星電子將在4奈米工藝中採用“光學收縮”技術（製程節點SF4U）進行量產，使晶片更小，性能更佳。

三星電子方面表示，AI時代最重要的就是高性能、低能耗晶片，將通過和AI晶片適配度最高的環繞式柵極工藝（GAA）、光學元件等技術為客戶提供AI時代必要的“一站式”解決方案。（完）