SK海力士將投資39億美元在美建立晶片封裝基地

韓聯社首爾4月4日電 南韓晶片巨頭SK海力士將投資38.7億美元在美國印第安納州建立下一代高頻寬記憶體（HBM）生產基地，並計劃于2028年下半年開始量產。

SK海力士4日表示，公司將在美國印第安納州西拉斐特興建人工智慧（AI）晶片先進封裝生產基地，並與普渡大學等當地研究機構開展半導體研發合作。半導體製造商在美國開建AI晶片先進封裝廠尚屬首次。

SK海力士3日（當地時間）在位於西拉斐特的普渡大學與印第安納州政府、普渡大學、美國中央政府官員等共同舉行投資簽約儀式，並正式發佈建廠計劃。預計SK海力士將從2028年下半年起量產下一代HBM等AI晶片。

目前，SK海力士的全球HBM市佔率居首，事實上向晶片巨頭英偉達獨家供應第四代HBM——HBM3，並從上月末開始向客戶提供第五代產品HBM3E。

據悉，SK海力士已向美國政府提交半導體生產補貼申請書。根據美政府于2022年制定的《晶片與科學法》，在美國境內建立半導體工廠的企業將獲得為期五年共計527億美元的補貼，其中包括390億美元的生產補貼和132億美元的研發補貼。（完）

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