三星SK海力士在英偉達開發者大會推12層HBM3E記憶體

韓聯社聖何塞3月19日電 三星電子和SK海力士18日在人工智慧晶片巨頭英偉達年度開發者大會（GTC）上雙雙公開12層堆疊動態隨機存取記憶體（DRAM）晶片的第五代高頻寬記憶體（HBM3E）“HBM3E 12H DRAM”實物。

高頻寬記憶體是指利用先進封裝方法垂直堆疊多個DRAM晶片，使數據處理速度取得飛躍性提升的高性能記憶體。三星電子和SK海力士佔據全球DRAM市場份額前兩把交椅，但三星電子在搶佔HBM市場的競爭中一直落後於SK海力士，然而今年2月宣佈成功研發出業內首款HBM3E 12H。

SK海力士也不甘落後，在公開HBM3E 12H產品的同時，強調英偉達最新AI產品“H100 GPU”搭載其第四代高頻寬記憶體（HBM3），彰顯競爭優勢。目前，SK海力士實際上屬於英偉達的第四代高頻寬記憶體獨家供應商，掌握著行業主導權。

SK海力士佔據第四代高頻寬記憶體市場份額90%以上，今年1月已開始量產8層堆疊的第五代產品。SK海力士表示，公司最先向英偉達交付第五代高頻寬記憶體，繼第四代之後，第五代產品依然率先交付客戶。（完）

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