三星電子發佈業內首款12層HBM3E記憶體
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2024年 02月 27日 15:52
韓聯社首爾2月27日電 三星電子27日表示，公司成功研發出利用硅通孔技術（TSV）的業界首款12層堆疊第五代高頻寬記憶體（HBM3E）“HBM3E 12H DRAM”，容量達到業內最大的36GB。
據悉，公司目前已開始向客戶提供HBM3E 12H樣品，並計劃從今年下半年投入量產，以搶佔市場先機。
具體來看，HBM3E 12H能提供高達每秒1280GB的寬頻。與三星8層堆疊的HBM3 8H相比，其頻寬和容量提升率超過50%。HBM3E 12H還採用熱壓非導電薄膜（TC NCF）技術，使得12層疊產品與8層疊產品保持相同厚度，以滿足當前HBM封裝要求。該技術最大限度地減少了因層疊增加和材料厚度變薄引起的晶片彎曲問題。
公司還通過降低非導電薄膜（NCF）材料厚度，將晶片間隙縮至7微米（µm），消除層與層之間的空隙（Void)），從而使HBM3E 12H的垂直整合度比HBM3 8H提高了20%以上。TC NCF技術還通過允許在晶片之間使用不同尺寸的凸塊（bump）來改善HBM的熱性能，並最大限度地提高了產品良率。
公司表示，使用HBM3E 12H可降低圖形處理器（GPU）的使用量，從而為企業降低總體擁有成本（TCO）。相較于HBM3 8H，將HBM3E 12H搭載於人工智慧應用後，預計人工智慧訓練平均速度可提升34%，同時推理服務用戶數量也可增加超過11.5倍。
此外，三星電子正在積極研發第六代高性能高頻寬記憶體（HBM4）產品，目標是2025年推出樣品，並從2026年起量產。（完）
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