涉嫌洩露半導體技術機密三星前員工被公訴

韓聯社首爾1月3日電 三星電子及其合作廠商的前任員工因涉嫌向中國公司洩露半導體關鍵技術，已于3日被提起逮捕公訴。

首爾中央地方檢察廳當天以涉嫌違反《產業技術保護法》為由對三星電子前任部長金某和合作廠商A公司前任部長方某向法院提起逮捕公訴。

檢方表示，金某涉嫌非法洩露三星電子18奈米級DRAM晶片工藝資訊這一國家關鍵技術，以供中國企業長鑫存儲技術有限公司（CXMT）進行產品開發。

檢方指控金某2016年跳槽到長鑫存儲後洩露了半導體“沉積技術”相關資料和7項關鍵工藝的相關技術資料，並以此非法收受數百億韓元（100億韓元折合為5500萬元左右）的財物。此外，金某還以稅後5億多韓元的報酬挖角三星電子及相關公司的20多名技術人員。

方某涉嫌與金某串通，將半導體設備供應商A公司的設計技術資料非法轉讓給長鑫存儲。金某和方某于上月15日被批捕，檢方計劃對其技術洩露罪行展開進一步調查。（完）

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