三星電子成功研製32Gb記憶體 容量目前最大

韓聯社首爾9月1日電 三星電子1日表示，公司在業內率先研製出12奈米級32千兆比特（Gb）第五代雙倍數據速率同步動態隨機存取記憶體（DDR5 DRAM），計劃年內投入量產。

三星電子1983年首次研製出DRAM，容量為64千比特（Kb），而此次時隔40年成功研製容量增至50萬倍的DRAM。

三星於今年5月起量產12奈米級16Gb DRAM，同樣是128吉字節（GB）模組，採用新研製的32Gb DRAM的模組比搭載16Gb DRAM的模組節電約10%。三星方面自評，此次新品的成功研製意味著為開啟1太字節（TB）DRAM模組時代成功創造出關鍵技術。（完）

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