詳訊：美晶片法工作層明訪韓探討韓企在華增產限制
韓聯社首爾、世宗3月22日電 在美國公佈《晶片和科學法案》（CHIPS and Science Act）中為防止半導體投資補貼用於損害美國安全活動的“護欄”條款細則的背景下，美方負責相關事務的工作層將於23日訪韓。
南韓產業通商資源部（產業部）22日披露上述消息，稱將與美國政府持續協商，爭取韓企能夠順利開展對美投資，並充分獲得《晶片法案》規定的補貼。根據美國商務部當地時間21日公佈的細則，三星電子和SK海力士若依法領取補貼，今後10年在華半導體產能增幅不得超過5%。為避免中國間接受益，法案規定領取補貼的企業未來10年進行使其在中國等受關注國家的產能得以“實質性擴張”（material expansion）的重大交易時，需全額退還補貼。
儘管業界曾擔憂美國《晶片法案》會限制半導體生產設施的技術升級，但細則僅將“實質性擴張”定義為產能的量化增長，這為韓企在華競爭圖存留下出路。產業部長官李昌洋當天向記者表示，美方公佈的細則很大程度上消除了各種憂慮帶來的不確定性，企業得以靈活運用投資和生產戰略。
產業部表示，韓企不僅可以留下在華生產設備，並進行部分擴張，還可持續實現技術升級。鋻於技術進步帶來的單位晶圓面積存儲容量增加不被視為產能增長，企業可根據經營戰略進一步提升產能。政府將繼續與業界開展溝通，縝密分析細則的內容，並基於分析結果在60天的徵求意見期內與美方繼續進行協商。
去年10月，美國商務部工業和安全局（BIS）出臺一套全新的出口管制措施，實際上禁止美國半導體設備商向中國晶片生產企業出口晶片相關設備，以防中方掌握晶片製造技術。具體來看，美國要求企業對華銷售高技術含量設備和技術時報批，對象包括18奈米或以下的動態半導體記憶體（DRAM）、128層或以上的快閃記憶體晶片（NAND）、鰭式場效應電晶體（FinFET）技術16/14奈米以下邏輯晶片的生產設備和技術。
然而，美方允許三星電子和SK海力士兩家韓企的在華工廠在未獲美政府審批的情況下自美進口相關設備，期限為1年，因此今年10月以後能否繼續為中國工廠引進尖端設備尚不可知。兩家企業表示，將縝密研討美方公佈的細則，為今後制定應對計劃。（完）
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