三星電子開始量產第8代V-NAND
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2022年 11月 07日 14:26
韓聯社首爾11月7日電 三星電子7日宣佈開始量產全球容量最大的1TB（太字節）第8代3D垂直快閃記憶體（V-NAND）。這距離三星量產第7代V-NAND時過1年。
第8代V-NAND的1TB三層式存儲單元（Triple Level Cell）在一個Cell中存放3bit數據，是單位面積存儲密度達到業界最高水準的大容量快閃記憶體。第8代產品採用最新NAND快閃記憶體標準Toggle DDR 5.0介面，數據存取速度達到2.4 Gbps（千兆比特每秒），比上一代提升約1.2倍。同時支援PCIe 4.0插槽，今後還將支援PCIe 5.0介面。
近來半導體行業掀起快閃記憶體堆棧層數競爭。今年美光科技、SK海力士分別宣佈研製出232層、238層堆棧快閃記憶體。三星電子此前生產的第7代產品是176層堆棧。三星此次雖未披露第8代的堆棧層數，不過此前已多次強調擁有製造200層以上快閃記憶體的技術力量。（完）
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