三星李在鎔出席半導體研發園區動工儀式

韓聯社首爾8月18日電 三星電子副會長李在鎔19日先後訪問公司位於京畿道器興和華城的半導體廠，盤點半導體事務。這是李在鎔在光復節獲特赦重返經營一線後的第一個公開日程。

李在鎔當天出席在京畿道器興園區舉行的下一代半導體研發（R&D）園區動工儀式。他表示，公司器興半導體廠破土動工已過40年，今天在此再次開始新的挑戰。沒有對研發的大膽投資就不會有如今的三星半導體，讓我們秉承“重視技術、先行投資”的傳統，以前所未有的全新技術創造未來。

該研發園區總面積約10.9萬平方米，將主管NAND快閃記憶體、晶圓代工、系統新片等新技術研發。三星電子計劃到2028年對該園區投資約20萬億韓元（約合人民幣1030億元）。三星電子相關人士表示，若建成具備尖端設備的研發中心，有望縮短新一代產品研發時間，提升半導體品質。

動工儀式結束後，李在鎔還前往華城半導體廠並與企業幹部員工座談。他承諾將積極與員工進行溝通，並囑咐員工們以靈活的思維應對變化。此外，李在鎔還在半導體研究所主持召開DS（半導體）部門社長團隊會議，探討半導體產業熱點問題、風險、下一代半導體技術研發進展情況、提升技術競爭力等方案。

分析認為，李在鎔在獲赦複權後先視察半導體廠可能旨在盤點公司未來核心業務，不想辜負國民對其助力克服經濟危機的期望。 （完）

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