Go to Contents Go to Navigation

SK海力士成功研發176層NAND快閃記憶體

滾動 2020年 12月 07日 14:42

韓聯社首爾12月7日電 SK海力士7日表示,近期成功研發出基於三層存儲單元(TLC)的176層512Gb(千兆位)NAND快閃記憶體。

SK海力士去年6月在世界上首次成功批量生產128層4D NAND快閃記憶體。此次僅次於美國存儲半導體企業美光科技,美光11月宣佈已批量出貨176層NAND快閃記憶體。

據SK海力士介紹,第三代4D NAND快閃記憶體達到業界最高水準,比上一代128層產品提高了35%以上生產率,增強了產品成本競爭力。另外,新產品的讀取速度比上一代加快20%,數據傳輸速度達到每秒1.6Gb,提高了33%。

SK海力士于上月向控制器企業提供了NAND樣品,計劃明年6月左右批量生產,並依次推出消費者級SSD、企業級SSD等產品,擴大各應用領域的市場。

據悉,三星電子也正在研發第七代V-NAND,預計明年批量生產。(完)

SK海力士成功研發176層NAND快閃記憶體。 SK海力士供圖(圖片嚴禁轉載複製)
SK海力士利川工廠 韓聯社TV供圖(圖片嚴禁轉載複製)

lizhengyun@yna.co.kr

【版權歸韓聯社所有,未經授權嚴禁轉載複製】

關鍵詞
主要 回到頂部