SK海力士成功研發176層NAND快閃記憶體

韓聯社首爾12月7日電 SK海力士7日表示，近期成功研發出基於三層存儲單元（TLC）的176層512Gb（千兆位）NAND快閃記憶體。

SK海力士去年6月在世界上首次成功批量生產128層4D NAND快閃記憶體。此次僅次於美國存儲半導體企業美光科技，美光11月宣佈已批量出貨176層NAND快閃記憶體。

據SK海力士介紹，第三代4D NAND快閃記憶體達到業界最高水準，比上一代128層產品提高了35%以上生產率，增強了產品成本競爭力。另外，新產品的讀取速度比上一代加快20%，數據傳輸速度達到每秒1.6Gb，提高了33%。

SK海力士于上月向控制器企業提供了NAND樣品，計劃明年6月左右批量生產，並依次推出消費者級SSD、企業級SSD等產品，擴大各應用領域的市場。

據悉，三星電子也正在研發第七代V-NAND，預計明年批量生產。（完）

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