三星電子擬在平澤投建NAND快閃記憶體生產線

韓聯社首爾6月1日電 三星電子1日表示，公司將投入8萬億韓元（約合人民幣464.8億元）在京畿道平澤工業園區投建尖端NAND記憶體生產線。

這是三星電子繼上月21日發佈在該園區投建專司極紫外光（EUV）微影光刻技術的晶圓代工生產線計劃後，時隔10天再次發佈投資計劃。雖然三星方面未公開具體投資金額，但業界推測上述晶圓代工生產線和NAND快閃記憶體生產線的投資規模分別達10萬億韓元和8萬億韓元。

三星電子已著手EUV晶圓代工生產和NAND記憶體生產所需的潔凈室建設，爭取在明年下半年投產5奈米EUV晶片和V-NAND產品。屆時，平澤工業園區將成為覆蓋儲存晶片和系統晶片的尖端半導體複合生產基地。

三星電子錶示，此次投資旨在應對隨人工智慧、物聯網等第四次工業革命，以及5G普及而來的NAND需求。分析認為，在新冠疫情重創全球經濟的情況下，三星電子近期接連發表投資計劃，反映出欲在全球記憶體市場繼續拉大優勢的決心。（完）

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