三星電子公佈在平澤投建半導體代工生產線計劃

韓聯社首爾5月21日電 三星電子21日公佈在京畿道平澤工業園區投建專司極紫外光（EUV）微影光刻技術的晶圓代工生產線計劃。

這是三星電子副會長李在鎔去年4月公佈的半導體發展藍圖“半導體願景2030”的一環。根據發展藍圖，三星電子計劃到2030年對系統晶片研發和生產技術領域投資133萬億韓元（約合人民幣7678億元）。

今年2月，三星電子在京畿道華城工業園區建設的專司極紫外光微影光刻技術的生產線V1啟動。三星還將在平澤投建生產線，向“半導體願景2030”又邁進一步。

在全球半導體代工市場，台灣積體電路製造公司（TSMC）穩居第一，三星電子位居第二。三星電子計劃憑藉極紫外光技術縮小與臺積電的差距，爭取登上系統晶片第一寶座。

在發佈“半導體願景2030”之後，三星電子持續加大對半導體代工生產線的投資力度，去年在國內半導體產業中率先量產基於極紫外光技術的7奈米工藝，今年通過V1生產線擴大超微工藝產能。預計平澤生產線啟動之後，基於7奈米以下工藝超微工藝的產品產能將大大提升。據悉，平澤生產線預計到2021年能投入生產。

另外，三星電子將於今年下半年先在華城量產5奈米產品，之後在平澤也生產5奈米產品。（完）

yongjoo29@yna.co.kr

【版權歸韓聯社所有，未經授權嚴禁轉載複製】